Перейти к содержанию

Открыта новая память в 100 раз быстрей FLASH RAM

Бoлee прoдвинутыe и дeшeвыe мeмристoры мoгут пoявиться в рeзультaтe случaйнoгo oткрытия в Унивeрситeтскoм кoллeджe Лoндoнa (УКЛ).

Кoмaндa из УКЛ экспeримeнтирoвaлa с oксидoм кремния для производства LED и случайно открыла такую компоновку атомов кремния, которая создает менее резистивные участки внутри твердого оксида кремния. Переключение между уровнями сопротивления происходит намного эффективней, чем раньше. Этот процесс был опубликован в журнале Journal of Applied Physics.

Изучая свойства созданного ими образца LED, они обнаружили, что поведение их устройства нестабильно. Один из исследователей, Аднан Мехоник, взялся изучить этот феномен и выяснил, что оксид кремния не был нестабильным, а вполне предсказуемо перепрыгивал в разные проводимые и непроводимые состояния.

Он сказал: «Моя работа показала, что этот материал может быть применен для изготовления мемристоров. Потенциал этого материала просто огромен. На этапе подтверждения концепции, мы продемонстрировали, что можем программировать чипы с использованием циклов от двух и более состояний проводимости. Мы очень рады, что наше устройство может стать важным шагом к созданию новых кремниевых чипов памяти».

В пресс-релизе сообщается: «Эти приборы можно создать таким образом, что они смогут варьировать сопротивляемость в зависимости от того вольтажа, который был применен последним… Подобные приборы известны под названием мемристоры».

Доктор Тони Кеньон из департамента Электроники УКЛ сказал: «Наши чипы памяти ReRAM потребляют всего тысячную долю от той энергии, которую потребляют стандартные чипы флеш-памяти и в 100 раз быстрее них. Тот факт, что это устройство может функционировать в реальных условиях окружающей среды и меняет свою сопротивляемость, открывает широкий круг практических применений».

Доктор Кеньон добавил: «Мы также работаем над созданием кварцевого устройства, для создания прозрачной электроники». Это позволит добавить тачскринам и другим экранам мобильных устройств функцию памяти.

Оригинал (на англ. языке): Theregister.co.uk

українська версія: Відкрито нову пам'ять в 100 разів швидше FLASH RAM